UNIDAD EN ESTADO SOLIDO SAMSUNG 990 EVO 1TB M.2 2280, PCIE GEN 4.0 X4 / 5.0 X2 NVME 2.0 VELOCIDAD DE LECTURA SECUENCIAL DE HASTA 5000 MB/S, VELOCIDAD DE ESCRITURA SECUENCIAL DE HASTA 4200 MB/S, CHIP NAND FLASH: SAMSUNG V-NAND TLC
SSD M.2 NVMe, UNIDADES DE DISCO SOLIDO (SSD)
SSD SAM 990 EVO 1TB M.2 NVME
Marca: SAMSUNG
P/N: MZ-V9E1T0B/AM
Tipo: Componente
Garantía: 36 meses
Availability:
** AGOTADO **
UNIDAD EN ESTADO SOLIDO SAMSUNG 990 EVO 1TB M.2 2280, PCIE GEN 4.0 X4 / 5.0 X2 NVME 2.0
** AGOTADO **
Especificaciones
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TANQUE DE MANTENIMIENTO F170
HD EXT CANVIO ADVANCE 1TB - BL
MEM RAM 16GB COR VENG 5.60GHZ
MEM RAM HP 16G SODIMM 3.20GHZ


