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UNIDAD DE ESTADO SOLIDO (SSD) HIKSEMI FUTUREX 512GB M.2 2280, INTERFAZ: PCIE GEN4 X4 – SSD HIKSEMI FUTUREX 512GB NVME

Marca: HIKSEMI
P/N: HS-SSD-FUTUREX 512G
Tipo: Componente
Garantía: 60 meses
Availability:

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UNIDAD DE ESTADO SOLIDO (SSD) HIKSEMI FUTUREX 512GB M.2 2280, INTERFAZ: PCIE GEN4 X4

S/445.37

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UNIDAD DE ESTADO SOLIDO (SSD) HIKSEMI FUTUREX 512GB M.2 2280, INTERFAZ: PCIE GEN4 X4 EL SSD HIKSEMI FUTUREX 512GB (HS-SSD-FUTUREX 512G) OFRECE ALTO RENDIMIENTO PARA EQUIPOS DE ESCRITORIO Y PORTáTILES COMPATIBLES CON M.2 NVME. SU INTERFAZ PCIE 4.0 X4 Y MEMORIA 3D TLC ALCANZAN VELOCIDADES DE HASTA 7,050 MB/S EN LECTURA Y 4,200 MB/S EN ESCRITURA, ACELERANDO EL ARRANQUE DEL SISTEMA Y LA CARGA DE APLICACIONES. SU FORMATO M.2 2280 CON DISIPADOR TéRMICO BRINDA ESTABILIDAD, CONFIABILIDAD Y LARGA VIDA úTIL PARA USO PROFESIONAL Y GAMING.

SKU: SSDHSFUTX512 Categorías: , Marca:

Especificaciones

DESCRIPCION DEL PRODUCTOUNIDAD DE ESTADO SOLIDO (SSD)
MARCAHIKSEMI
MODELOHS-SSD-FUTUREX 512G
CAPACIDAD512 GB
INTERFAZPCIe Gen4 x4
VELOCIDAD DE LECTURA7050 MB/S
VELOCIDAD DE ESCRITURA4200 MB/S
TERABYTE ESCRITO (SSD-PCIe)900 TB
FORMATOM.2 2280
TIPO DE CHIP3D NAND TECHNOLOGY
CARACTERISTICAS TECNICASMTBF: 2,000,000 HORAS
FUNCION: AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667
INCLUYE FUNCIONES COMO AES-256, RAID 5/6, Y PROTECCION DE DATOS CON ECC DE TERCERA GENERACION
CONDICIONES DE OPERACIONTEMPERATURA DE OPERACION0°C ~ 70°C
CONDICIONES DE ALMACENAJETEMPERATURA DE ALMACENAJE-40˚C ~ 85˚C