MEMORIA FLASH SANDISK MICROSD EXPRESS 512GB, INTERFAZ: PCIE GEN 3 RENDIMIENTO DE LECTURA SECUENCIAL DE HASTA 880MB/S, RENDIMIENTO DE ESCRITURA SECUENCIAL DE HASTA 650MB/S.
MEM FLASH, SECURE DIGITAL, MEMORIAS FLASH
MEMORIA FLASH SANDISK MICROSD EXPRESS 512GB, INTERFAZ: PCIE GEN 3 – MICROSD SANDISK EXPRESS 512GB
Marca: SANDISK
P/N: SDSQXFN-512G-GN4NN
Tipo: Componente
Garantía: 60 meses
Availability:
3 disponibles
MEMORIA FLASH SANDISK MICROSD EXPRESS 512GB, INTERFAZ: PCIE GEN 3
S/585.95
3 disponibles
Especificaciones
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SERIE DGP™8000e/DGP™5000e RADIOS PORTÁTILES DE DOS VÍAS
AURICULAR DISCRETO CON PTT MH-101A4B
DGP™8550EX MOTOTRBO™ RADIO PORTÁTIL DE DOS VÍAS
- THINKSYSTEM ST50 V3 INTERNAL D


